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MOS管手工焊机工作原理详细分析-KIA MOS管
MOS管手工焊机它由底板，上板，中板三部分组成。交流电输入后，经过整流桥进行一次整流，经过电容进行滤波，之后底板的这个直流电到达上板的逆变管和中板的变压器进行逆变和降压，最后再经过中板的快恢复二极管进行二次整流，变成符合焊接需要的70伏左右的直流...www.kiaic.com/article/detail/3187.html 2021-11-19
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温度对放大电路静态工作点有什么影响？-KIA MOS管
静态工作点是指三极管放大电路中，三极管静态工作点就是交流输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些电流、电压的数值可用BJT特性曲线上一个确定的点表示，该点习惯上称为静态工作点Q 。www.kiaic.com/article/detail/3186.html 2021-11-19
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几种常用的电路分析法分享-KIA MOS管
1、直流等效电路分析法在分析电路原理时，要搞清楚电路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在没有输入信号时，各半导体三极管、集成电路的静态偏置，也就是它们的静态工作点。www.kiaic.com/article/detail/3185.html 2021-11-18
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详解|负反馈放大电路的四种组态-KIA MOS管
如图所示是负反馈方框图，当反馈信号UF相位和输入信号Ui的相位相反时，它们混合的结果是相减，结果净输入放大器的信号UI比输入信号Ui要小，使放大器的输出信号Uo减小，引起放大器电路这种反馈过程的电路称为负反馈电路。www.kiaic.com/article/detail/3184.html 2021-11-18
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抑制电源模块中的电磁干扰对策分享-KIA MOS管
电磁干扰（ElectroMagneticInterference，简称EMI）是指任何在传导或电磁场伴随着电压、电流的作用而产生会降低某个装置、设备或系统的性能，或可能对生物或物质产生不良影响之电磁现象。www.kiaic.com/article/detail/3183.html 2021-11-18
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关于车载充电器的详细分享-KIA MOS管
从充电方法的角度来看，电动车有两个主要组别。第一组包含混合动力电动车(HEV)和轻度混合动力电动车(MHEV)，它们通过一个内燃机或再生制动和能量回收给自己的电池充电。第二组包括插电式混合动力汽车(PHEV)和电池驱动的电动汽车(BEV)，即必须“插电”充电的类型...www.kiaic.com/article/detail/3182.html 2021-11-17
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特斯拉、比亚迪、蔚来等都用了，碳化硅产业站上风口！
近年来，电动汽车的销量持续快速提升，从中国市场来看，中汽协公布数据显示，今年前三季度，我国新能源汽车产销量分别达216.6万辆和215.7万辆，分别同比增长1.8倍和1.9倍。www.kiaic.com/article/detail/3181.html 2021-11-17
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什么是MOSFET跨导及夹断区？详解-KIA MOS管
相比于晶体管，MOSFET这个管子相对来说比较复杂，它的工作过程理解起来还是有一定难度的。那么这其中最难以理解的部分，可能还是MOS管开关损耗的理解。相比导通损耗和续流损耗，MOS管开通和管断的过程要复杂得多。www.kiaic.com/article/detail/3180.html 2021-11-17
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计算IGBT驱动电流及驱动功率详解-KIA MOS管
在选择IGBT驱动芯片时，很重要的一步就是计算IGBT所需要的最大驱动电流，在不考虑门极增加Cge电容的条件下，可以把IGBT驱动环节简化为一个RLC电路，如下图阴影部分所示www.kiaic.com/article/detail/3179.html 2021-11-16
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MOSFET在同步整流驱动的应用图解-KIA MOS管
如下图一为传统的次级整流电路，该电路使用快恢复或者肖特基二极管进行整流，快恢复二极管的VF一般为0.7V-1V，肖特基二极管的VF也有0.2V-0.3V，在电流比较大时，二极管上将产生很大的损耗，Po=VF*IF。www.kiaic.com/article/detail/3178.html 2021-11-16
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电源管理概念、分类、工作方式详解-KIA MOS管
电源管理是指如何将电源有效分配给系统的不同组件。电源管理对于依赖电池电源的移动式设备至关重要（比如：手机、笔记本电脑）。一个优秀的电源管理系统能够通过降低组件闲置时的能耗将电池寿命延长2~3倍，电源管理技术是集电力变换，现代电子，网络组建，自动...www.kiaic.com/article/detail/3177.html 2021-11-16
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电源系统开关控制器如何选择MOSFET？-KIA MOS管
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。www.kiaic.com/article/detail/3176.html 2021-11-15
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光耦合器电路设计详解-KIA MOS管
集电极电流是将流到光耦合器晶体管侧的集电极的电流。另一方面，正向电流是流到光耦合器二极管侧的电流。基本上，二极管侧通过器件电流传输比链接到晶体管侧。除了这些信息之外，光耦合器电路的设计就像设计普通电路一样，其中使用的是KVL，KCL，欧姆定律等。www.kiaic.com/article/detail/3174.html 2021-11-15
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贴片压敏电阻与TVS二极管区别图解-KIA MOS管
贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。在二极管中，也有使用Au丝等的情况。www.kiaic.com/article/detail/3175.html 2021-11-15